供应高精度MMLP57F传感器芯片，MMLP57F传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、高精度MMLP57F传感器芯片应用介绍：
被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线，两个TMR芯片位于U形电流线的正上方，通过被测电流Ip后，U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B，经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出，得到最终的输出信号Vout。
性能比较： Hall TMR
灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe
线性度 2% 0.4%
温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃
是否需要磁环 必须要 不需
二、高精度传感器芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
高灵敏度 6 mV/V/Oe
低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
三、高精度传感器芯片典型应用
电流传感器
磁强计
地磁传感器
位置传感器
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供应高灵敏度MMLH45F传感器芯片，15V传感器芯片
信息内容：一、MMLH45F传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 二、MMLH45F传感器芯片在无损探伤应用 无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。 三、MMLH45F传感器芯片极限参数参数 工作电压：VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁...
供应MMLH45F记录磁头专用传感器芯片，优质传感器厂家
信息内容：一、记录磁头专用传感器芯片 磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术（AMR，GMR和TMR）。由于TMR技术与AMR，GMR相比，具有优势，目前硬盘已经完全采用这技术。 隧道式磁阻（TMR）是一种更新的技术，TMR代替GMR组成存储元件后，不但可以减小MOSFET的面积，而且不需要进行重复读取。 二、记录磁头专用传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 三、记录磁头专用传感器芯片极限参数参数 工作电压：VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ ...
