供应高灵敏度MMLH45F传感器芯片，15V传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLH45F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMLH45F传感器芯片性能参数
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
二、MMLH45F传感器芯片在无损探伤应用
无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。
三、MMLH45F传感器芯片极限参数参数
工作电压：VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
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供应MMLH45F记录磁头专用传感器芯片，优质传感器厂家
信息内容：一、记录磁头专用传感器芯片 磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术（AMR，GMR和TMR）。由于TMR技术与AMR，GMR相比，具有优势，目前硬盘已经完全采用这技术。 隧道式磁阻（TMR）是一种更新的技术，TMR代替GMR组成存储元件后，不但可以减小MOSFET的面积，而且不需要进行重复读取。 二、记录磁头专用传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 三、记录磁头专用传感器芯片极限参数参数 工作电压：VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ ...
供应数字化水表MMLH45F系列传感器芯片，多维优质厂家
信息内容：一、智能水表中的应用 智能水表一般由电池供电，这就对智能水表传感器的功耗提出了苛刻的要求。由于受传感器功耗、寿命、响应频率以及磁阻尼的限制，数字化水表的常用方案是通过齿轮的变速，把传感器安装在10升流量位置。这样的设计只能测量一段时间内的总流量，而不能测量瞬时流量。目前在水表中普遍使用的干簧管，由于其体积大，不宜安装，影响了表的小型化，智能化；同时由于水锤效应，会发生抖动现象，影响了计量精度。在热量表中采用有磁和无磁方案实现其智能化（数字化？）。有磁方案中，普遍采用韦根传感器，在其工作时，功耗比较大。韦根信号是尖峰脉冲信号，占空比不一，所以要加额外的脉冲整形电路，电路复杂，可靠性差，甚至一只电子元件损坏都会引起整只表不工作。由于其特有的磁阻尼特性，在小流量时计量不准确，同时，由于它要求较高的工作点磁场，着就对其安装位置提出很高的要求。 二、MMLH45F系列传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在...
