供应MMLH45F智能交通专用传感器芯片，多维厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLH45F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMLH45F智能交通专用传感器芯片性能参数
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
二、TMR磁阻传感器在消费电子中的应用
磁传感器在消费电子类产品，如手机、笔记本电脑、电子玩具、电子罗盘中也有非常广泛的应用。未来磁传感器在消费电子市场将有较大的成长，MEMS传感器与磁传感器在应用中互相促进，对推动这一趋势有一定贡献。虽然磁阻传感器发展历程已经很漫长，技术相对成熟，但仅作为电子罗盘的单独应用，在以前并不被人们很看好，而现在它与MEMS的结合，会在导航市场成为一个亮点。
三、MMLH45F智能交通专用传感器芯片极限参数参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
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供应MEMS磁阻传感器芯片，传感器芯片多维打造
信息内容：一、MEMS磁阻传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 二、MEMS磁阻传感器芯片特点如下： 灵敏度高、精度高：灵敏度可以达到十高斯 响应频率高：典型值为10 kHz 低功耗：工作电流为6 uA @ 3 V 小型封装：SOT23-3，TO-92 目前的低功耗霍尔或干簧管，通过齿轮变比，来测量水表一段时间内的流量。由于TMR磁传感器的固有特点，非常适合智能水表应用。响应频率高，可以达到10 kHz以上，这样就可以直接测量叶轮的转速，得到水表的瞬时流量，可以实时监控用水情况。采用两个TMR传感器，根据四种不同状态信号，可以获得叶轮的旋转速度和旋转方向。通过测量叶轮的转速，多维科技TMR传感器可以实现：瞬时流量检测、漏水及大流量报警、逆流检测等功能。 三、MEMS磁阻传感器芯片极限参数参数 ...
供应MMLH45F大电流磁阻传感器芯片，多维传感器芯片
信息内容：一、大电流磁阻传感器芯片在电表中应用 众所周知，通电导线周围将产生磁场，其磁场的强弱与电流大小成正比。若将TMR磁传感器放置在通电导线附近，TMR磁传感器的输出电压可以测量导线中通过的电流。 用霍尔元件做成的电流传感器，检测电线中流过的电流所产生的磁场，由于霍尔元件本身的温度特性不好，使得相应的电流传感器温度性能比较差。此外，由于霍尔传感器灵敏度低，需要增加聚磁环，由此增加了体积和成本。TMR磁传感器温度稳定性好，对温度不敏感，线性度好，灵敏度高，不需要聚磁，因此采用TMR传感器的电流传感器具有体积小，温度特性好，精度高，整体成本低的特点，在智能电表计量领域具有非常重要的优势。 二、大电流磁阻传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oerst...
