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供应MMLH45F大电流磁阻传感器芯片,多维传感器芯片

价 格: 面议
型号/规格:MMLH45F
品牌/商标:MDT

一、大电流磁阻传感器芯片在电表中应用
  众所周知,通电导线周围将产生磁场,其磁场的强弱与电流大小成正比。若将TMR磁传感器放置在通电导线附近,TMR磁传感器的输出电压可以测量导线中通过的电流。 用霍尔元件做成的电流传感器,检测电线中流过的电流所产生的磁场,由于霍尔元件本身的温度特性不好,使得相应的电流传感器温度性能比较差。此外,由于霍尔传感器灵敏度低,需要增加聚磁环,由此增加了体积和成本。TMR磁传感器温度稳定性好,对温度不敏感,线性度好,灵敏度高,不需要聚磁,因此采用TMR传感器的电流传感器具有体积小,温度特性好,精度高,整体成本低的特点,在智能电表计量领域具有非常重要的优势。

二、大电流磁阻传感器芯片性能参数
  工作电压 VCC 1 5 V
  工作电流 ICC 12.5(2) μA
  电阻值 R 80(3) kOhm
  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
  动态范围 ±50 Oe
  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
  失调电压 VOQ ±5 mV/V
  磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
  灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
  使用温度 TA -40 125 °C
  频率响应 FCUT DC 20 MHz
  注:
  (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
  (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
  (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。
  

三、大电流磁阻传感器芯片极限参数参数
  工作电压 VCC 6 V
  存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
  外加磁场 B 2000 Oe(1)
  ESD (HBM) 4000 V

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