供应传感器芯片，多维优质厂家，简单电路MMLH45F系列
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLH45F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、简单电路MMLH45F特点：
抗干扰能力强
成本低
处理电路简单
工作温度范围宽（-55℃~125℃）
测量范围广（10A~1000A）
温度特性好（-0.1%/℃）
测量精度高（0.1%/FS）
灵敏度高（6mV/V/Oe）
二、简单电路MMLH45F性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
三、简单电路MMLH45F极限参数参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
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供应MMLH45F智能医疗专用传感器芯片，MMLH45F系列
信息内容：一、智能医疗专用传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR磁阻传感器在物联网中的应用 磁传感器作为传感器产业中的重要分支，在物联网应用领域有着巨大的市场，在全球范围内被很多国家提高到了国家经济和国防的战略高度。 我国物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建，形成较完善的物联网产业链，“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面，国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的...
供应MMLH45F智能交通专用传感器芯片，多维厂家
信息内容：一、MMLH45F智能交通专用传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR磁阻传感器在消费电子中的应用 磁传感器在消费电子类产品，如手机、笔记本电脑、电子玩具、电子罗盘中也有非常广泛的应用。未来磁传感器在消费电子市场将有较大的成长，MEMS传感器与磁传感器在应用中互相促进，对推动这一趋势有一定贡献。虽然磁阻传感器发展历程已经很漫长，技术相对成熟，但仅作为电子罗盘的单独应用，在以前并不被人们很看好，而现在它与MEMS的结合，会在导航市场成为一个亮点。 三、MMLH45F智能交通专...
