一、MMLH45F系列12mV传感器芯片应用介绍:
性能比较: Hall TMR
灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe
线性度 2% 0.4%
温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃
是否能测量mA级电流 非常困难 容易实现
被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,一个TMR 芯片位于电流线的正上方,被测电流被覆制在PCB板上,被测电流Ip流经电流线,在TMR芯片位置产生平行于TMR芯片灵敏方向的磁场B,TMR芯片感应感应到被测电流线产生的磁场B,TMR芯片的输出信号直接取出或经过简单的差分电路输出既可将信号取出,得到最终的输出信号Vout。
二、MMLH45F系列12mV传感器芯片性能参数
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
三、MMLH45F系列12mV传感器芯片极限参数参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
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一、简单电路MMLH45F特点: 抗干扰能力强 成本低 处理电路简单 工作温度范围宽(-55℃~125℃) 测量范围广(10A~1000A) 温度特性好(-0.1%/℃) 测量精度高(0.1%/FS) 灵敏度高(6mV/V/Oe) 二、简单电路MMLH45F性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注: (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。 三、简单电路MMLH45F极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择...
一、智能医疗专用传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注: (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR磁阻传感器在物联网中的应用 磁传感器作为传感器产业中的重要分支,在物联网应用领域有着巨大的市场,在全球范围内被很多国家提高到了国家经济和国防的战略高度。 我国物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建,形成较完善的物联网产业链,“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面,国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的...