一、强抗干扰能力传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注:
(1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。
二、强抗干扰能力传感器芯片特点:
抗干扰能力强
成本低
-3dB带宽宽
测量范围广(1A~1000A)
温度特性好
测量精度高(0.1%/FS)
工作温度范围宽(-55℃~125℃)
三、强抗干扰能力传感器芯片极限参数参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
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一、高灵敏度传感器芯片应用介绍: 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向,磁环聚集了被测电流产生的磁场,在缺口处,TMR元件感应到该磁场,使二次线圈产生电流和磁场,二次线圈又反作用于磁环,使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中,TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较: Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 大 小 -3dB带宽 小 大 二、高灵敏度传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注: (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3)阻值可以选择,详情请...
一、高测量精度传感器芯片特点: 体积小 抗干扰能力强 工作温度范围宽(-55℃~125℃) 处理电路简单 测量范围广(1A~100A) 温度特性好(-0.1%/℃) 测量精度高(0.1%/FS) 灵敏度极高(12mV/V/Oe) 二、高测量精度传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注: (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。 三、高测量精度传感器芯片极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 心动不如行动,赶紧拿起您...