一、高测量精度传感器芯片特点:
体积小
抗干扰能力强
工作温度范围宽(-55℃~125℃)
处理电路简单
测量范围广(1A~100A)
温度特性好(-0.1%/℃)
测量精度高(0.1%/FS)
灵敏度极高(12mV/V/Oe)
二、高测量精度传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注:
(1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。
三、高测量精度传感器芯片极限参数参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
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一、MMLH45F系列传感器应用介绍: 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线,两个TMR芯片位于U形电流线的正上方,通过被测电流Ip后,U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B,经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出,得到最终的输出信号Vout。 性能比较: Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否需要磁环 必须要 不需 二、MMLH45F系列传感器性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 三、MMLH45F系列传感器极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 ...
一、小体积MMLH45F传感器芯片特点: 体积小 成本低 处理电路简单 工作温度范围广(-55℃~125℃) 测量范围广(300mA~5A) 温度特性好(-0.1%/℃) 测量精度高(0.1%/FS) 灵敏度高(6mV/V/Oe) 二、小体积MMLH45F传感器芯片性能参数 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注: (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。 三、小体积MMLH45F传感器芯片极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只...