供应低功耗传感器芯片，MMLH45F大电阻率传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLH45F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、低功耗传感器芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
高灵敏度 12 mV/V/Oe
低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
较小磁滞
宽工作电压范围
二、低功耗传感器芯片概述
MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
三、公司介绍：
江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。
多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。
公司主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及传感器产业经验，将矢志不渝地把多维发展成为世界、产品性能、供货质量稳定的磁传感芯片供应商作为企业发展的目标，服务于磁性传感器行业，并计划在企业设立的研发中心，建立传感器产业园，发挥产业集聚效应，为社会创造更大的价值。
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供应非线性低功耗传感器芯片，MMLH45F传感器厂家
信息内容：一、低功耗传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、闭环电流传感器的应用特点： 测量范围广（1A~1000A） 温度特性好 测量精度高（0.1%/FS） 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 三、极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ ...
供应1A~100A开环PCB级电流传感器芯片，传感器厂家
信息内容：一、开环PCB级电流传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR线性传感器芯片作为开环PCB级电流传感器的应用特点： 测量范围广（1A~100A） 温度特性好（-0.1%/℃） 测量精度高（0.1%/FS） 灵敏度极高（12mV/V/Oe） 体积小 抗干扰能力强 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 处理电路简单 三、开环PCB级电流传感器芯片极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V ...
