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供应非线性低功耗传感器芯片,MMLH45F传感器厂家

价 格: 面议
型号/规格:MMLH45F
品牌/商标:MDT

一、低功耗传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
  工作电压 VCC 1 5 V
  工作电流 ICC 12.5(2) μA
  电阻值 R 80(3) kOhm
  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
  动态范围 ±50 Oe
  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
  失调电压 VOQ ±5 mV/V
  磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
  灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
  使用温度 TA -40 125 °C
  频率响应 FCUT DC 20 MHz
  注:
  (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
  (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
  (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。


二、闭环电流传感器的应用特点:
  测量范围广(1A~1000A)
  温度特性好
  测量精度高(0.1%/FS)
  工作温度范围宽(-55℃~125℃)
  抗干扰能力强
  成本低
  -3dB带宽宽

三、极限参数参数
  工作电压 VCC 6 V
  存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
  外加磁场 B 2000 Oe(1)
  ESD (HBM) 4000 V
  

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供应1A~100A开环PCB级电流传感器芯片,传感器厂家

信息内容:

一、开环PCB级电流传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)  工作电压 VCC 1 5 V  工作电流 ICC 12.5(2) μA  电阻值 R 80(3) kOhm  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe  动态范围 ±50 Oe  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe  失调电压 VOQ ±5 mV/V  磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C  灵敏度温度系数 -0.1 %/°C  使用温度 TA -40 125 °C  频率响应 FCUT DC 20 MHz  注:  (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。  (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。  (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR线性传感器芯片作为开环PCB级电流传感器的应用特点:  测量范围广(1A~100A)  温度特性好(-0.1%/℃)  测量精度高(0.1%/FS)  灵敏度极高(12mV/V/Oe)  体积小  抗干扰能力强  工作温度范围宽(-55℃~125℃)  处理电路简单 三、开环PCB级电流传感器芯片极限参数参数  工作电压 VCC 6 V  存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C  外加磁场 B 2000 Oe(1)  ESD (HBM) 4000 V ...

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供应-55℃~125℃传感器芯片,MMLH45F系列传感器

信息内容:

一、传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)  工作电压 VCC 1 5 V  工作电流 ICC 12.5(2) μA  电阻值 R 80(3) kOhm  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe  动态范围 ±50 Oe  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe  失调电压 VOQ ±5 mV/V  磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C  灵敏度温度系数 -0.1 %/°C  使用温度 TA -40 125 °C  频率响应 FCUT DC 20 MHz  注:  (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。  (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。  (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR线性传感器芯片作为开环穿芯式电流传感器的应用特点:  测量范围广(10A~1000A)  温度特性好(-0.1%/℃)  测量精度高(0.1%/FS)  灵敏度高(6mV/V/Oe)  抗干扰能力强  成本低  处理电路简单  工作温度范围宽(-55℃~125℃) 三、传感器芯片极限参数参数  工作电压 VCC 6 V  存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C  外加磁场 B 2000 Oe(1)  ESD (HBM) 4000 V 心动不如行动,赶紧拿起...

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