供应MMLH45F传感器芯片，12mV高灵敏度传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLH45F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、 制造工艺
制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能，一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案，另一方面，也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。
二、MMLH45F传感器芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
高灵敏度 12 mV/V/Oe
低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
较小磁滞
宽工作电压范围
三、MMLH45F传感器芯片概述
MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
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供应MMLH45F大流量报警专用传感器芯片，厂家直销
信息内容：一、报警专用传感器芯片优点： 响应频率高，可达GHz以上 精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽 功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低 温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度 体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作 二、报警专用传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 12 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 较小磁滞 宽工作电压范围 三、报警专用传感器芯片概述 MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务...
供应低功耗传感器芯片，MMLH45F大电阻率传感器芯片
信息内容：一、低功耗传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 12 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 较小磁滞 宽工作电压范围 二、低功耗传感器芯片概述 MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。 三、公司介绍： 江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。 多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。 公司主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及...
