供应0.1%FS磁滞传感器芯片，优质传感器芯片厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用
MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不需要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样，数据以磁矩的方向为依据，存储为0或1。它存储的数据具有性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。
磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术（AMR，GMR和TMR）。由于TMR技术与AMR，GMR相比，具有优势，目前硬盘已经完全采用这技术。
隧道式磁阻（TMR）是一种更新的技术，TMR代替GMR组成存储元件后，不但可以减小MOSFET的面积，而且不需要进行重复读取。
二、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数：
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 5(2) μA
电阻值 R 200(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe
动态范围 ±70 Oe
线性范围 非线性度<1% ±30 Oe
失调电压 VOQ ±2.5 mV/V
磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
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供应隧道磁电阻传感器芯片，低饱和场传感器芯片
信息内容：一、隧道磁电阻传感器芯片无损探伤应用 无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。 二、隧道磁电阻传感器芯片性能 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您...
供应生物医用传感器芯片，MMLP57H系列传感器芯片
信息内容：一、生物医用及生物磁场传感器 人体之中存在着各种形式的机械运动，它们是机体完成必要的生理功能的前提和保证，因此检测这些生物机械运动，无论对基础医学还是对临床医学来讲，都具有十分重要的意义。以前，必须利用体积大和功率高、价格贵的高温超导量子磁强计（SQUID）。高灵敏度及集成化的TMR磁敏传感器的出现为这些机械运动和病变部位的非接触式的探测提供了方便，并推动其发展。 二、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 心动不如行动，赶紧拿起您手中...
