供应隧道磁电阻传感器芯片，低饱和场传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、隧道磁电阻传感器芯片无损探伤应用
无损探伤作为现代大工业的一个重要基础，对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测，涡流检测，脉冲涡流检测，由于涡流检测具有速度快，效率高，可在线监测的特点，因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器，由于其所具有的高灵敏度，高响应频率，高信噪比的特点，作为磁性传感器应用于无损探伤，将有效的提高无损探伤的水平和技术能力，并拓宽其应用范围，对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。
二、隧道磁电阻传感器芯片性能 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数：
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 5(2) μA
电阻值 R 200(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe
动态范围 ±70 Oe
线性范围 非线性度<1% ±30 Oe
失调电压 VOQ ±2.5 mV/V
磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
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供应生物医用传感器芯片，MMLP57H系列传感器芯片
信息内容：一、生物医用及生物磁场传感器 人体之中存在着各种形式的机械运动，它们是机体完成必要的生理功能的前提和保证，因此检测这些生物机械运动，无论对基础医学还是对临床医学来讲，都具有十分重要的意义。以前，必须利用体积大和功率高、价格贵的高温超导量子磁强计（SQUID）。高灵敏度及集成化的TMR磁敏传感器的出现为这些机械运动和病变部位的非接触式的探测提供了方便，并推动其发展。 二、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 心动不如行动，赶紧拿起您手中...
供应高灵敏度传感器芯片航空专用，优质传感器热销
信息内容：一、TMR磁阻传感器在微弱磁场探测中的应用 航空、航天应用 高灵敏度、低饱和场和低噪声的TMR传感器可以用在航空、航天及卫星通信技术上。在军事工业中随着吸波技术的发展，飞行器可以通过覆盖一层吸波材料而隐蔽，但是无论如何都会产生磁场，因此通过TMR磁场传感器可以把隐蔽的飞行器找出来。此外TMR磁性传感器还可以应用在资源卫星上，用来探测地球表面上的磁性物体和地底下的矿产分布。 二、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 心动不如行动，赶紧拿起...
