一、产品介绍:
MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、极限参数
参数 符号 额定值 单位
工作电压 VCC 6 V
工作电流 ICC 20 μA
输出电压 VOUT 6 V
输出电流 IOUT 30 mA
使用温度 TA -40 ~ 125 °C
储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C
ESD性能(HBM)VESD 4 kV
外加磁场 B 2000 Oe
三、应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。
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一、6V开关传感器介绍: MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、传感器选用原则 在一般的工业生产场所,通常都选用涡流式接近开关和电容式接近开关。因为这两种接近开关对环境的要求条件较低。 当被测对象是导电物体或可以固定在一块金属物上的物体时,一般都选用涡流式接近开关,因为它的响应频率高、抗环境干扰性能好、应用范围广、价格较低。 若所测对象是非金属(或金属)、液位高度、粉状物高度、塑料、烟草等。则应选用电容式接近开关。这种开关的响应频率低,但稳定性好。安装时应考虑环境因素的影响。 若被物为导磁材料或者为了区别和它在一同运动的物体而把磁钢埋在被测物体内时,应选用霍尔接近开关,它的价格。...
一、磁性感应芯片传感器介绍: MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、产品主要用途 这些接近开关传感器在航空、航天技术以及工业生产中应用十分广泛;在日常生活中,如宾馆、饭店、车库的自动门,自动热风机上都有应用;在安全防盗方面,如资料档案、财会、金融、博物馆、金库等重地,通常都装有由各种接近开关组成的防盗装置。在测量技术中,如长度,位置的测量;在控制技术中,如位移、速度、加速度的测量和控制,也都有着大量使用。而使用的方式,通常是制作成接近开关。 三、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS105...