一、磁性感应芯片传感器介绍:
MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、产品主要用途
这些接近开关传感器在航空、航天技术以及工业生产中应用十分广泛;在日常生活中,如宾馆、饭店、车库的自动门,自动热风机上都有应用;在安全防盗方面,如资料档案、财会、金融、博物馆、金库等重地,通常都装有由各种接近开关组成的防盗装置。在测量技术中,如长度,位置的测量;在控制技术中,如位移、速度、加速度的测量和控制,也都有着大量使用。而使用的方式,通常是制作成接近开关。
三、应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。
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一、产品介绍: MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、线性接近传感器 线性接近传感器是一种属于金属感应的线性器件,接通电源后,在传感器的感应面将产生一个交变磁场,当金属物体接近此感应面时,金属中则产生涡流而吸取了振荡器的能量,使振荡器输出幅度线性衰减,然后根据衰减量的变化来完成无接触检测物体的目的。 该接近传感器具有无滑动触点,工作时不受灰尘等非金属因素的影响,并且低功耗,长寿命,可使用在各种恶劣条件下。线性传感器主要应用在自动化装备生产线对模拟量的智能控制。 三、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于...
一、产品介绍: MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、产品参数: 极限参数参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °CESD性能(HBM) VESD 4 kV 外加磁场 B 2000 Oe 三、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限B...