供应非挥发性传感器，开关传感器厂家热销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品介绍：
MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、非挥发性传感器优势：
（1）迟滞：传感器在输入量由小到大（正行程）及输入量由大到小（反行程）变化期间其输入输出特性曲线不重合的现象成为迟滞。对于同一大小的输入信号，传感器的正反行程输出信号大小不相等，这个差值称为迟滞差值。
（2）重复性：重复性是指传感器在输入量按同一方向作全量程连续多次变化时，所得特性曲线不一致的程度。
（3）漂移：传感器的漂移是指在输入量不变的情况下，传感器输出量随着时间变化，此现象称为漂移。产生漂移的原因有两个方面：一是传感器自身结构参数；二是周围环境（如温度、湿度等）。
三、非挥发性传感器应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。
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供应磁电阻(MR)效应传感器，传感器厂家
信息内容：一、磁电阻(MR)效应传感器介绍： MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、传感器静态特性 传感器的静态特性是指对静态的输入信号，传感器的输出量与输入量之间所具有相互关系。因为这时输入量和输出量都和时间无关，所以它们之间的关系，即传感器的静态特性可用一个不含时间变量的代数方程，或以输入量作横坐标，把与其对应的输出量作纵坐标而画出的特性曲线来描述。表征传感器静态特性的主要参数有：线性度、灵敏度、迟滞、重复性、漂移等。 （1）线性度：指传感器输出量与输入量之间的实际关系曲线偏离拟合直线的程度。定义为在全量程范围内实际特性曲线与拟合直线之间的偏差值与满量程输出值之比。 （2）灵敏度：灵敏度...
供应半导体磁性传感器，优质传感器厂家直销
信息内容：一、半导体磁性传感器介绍： MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、传感器按照其制造工艺分类 集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器 集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。 厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。 三、半导体磁性传感器应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电...
