供应半导体磁性传感器，优质传感器厂家直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、半导体磁性传感器介绍：
MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、传感器按照其制造工艺分类
集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器
集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。
厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。
三、半导体磁性传感器应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。
心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！
欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！
联系方式：
1. 服务电话：0512-56366222
2. 电话：0512-56319303联系人：张先生
3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
- 所属城市：江苏 苏州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张先生
- 电话：0512-56319303
- 传真：0512-56366200
- 手机：
- QQ ：
供应低开关点高精度传感器MMS105H全系列，优质厂家
信息内容：一、高精度传感器介绍： MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、与采用新材料紧密相关的传感器开发工作，三个方向： (1)在已知的材料中探索新的现象、效应和反应，然后使它们能在传感器技术中得到实际使用。 (2)探索新的材料，应用那些已知的现象、效应和反应来改进传感器技术。 (3)在研究新型材料的基础上探索新现象、新效应和反应，并在传感器技术中加以具体实施。 现代传感器制造业的进展取决于用于传感器技术的新材料和敏感元件的开发强度。传感器开发的基本趋势是和半导体以及介质材料的应用密切关联的。 三、高精度传感器应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行...
供应线性位移检测专用磁隧道结传感器，厂家直销
信息内容：一、磁隧道结传感器介绍： MMS105H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、传感器按照其材料为标准分类 在外界因素的作用下，所有材料都会作出相应的、具有特征性的反应。它们中的那些对外界作用最敏感的材料，即那些具有功能特性的材料，被用来制作传感器的敏感元件。从所应用的材料观点出发可将传感器分成下列几类： (1)按照其所用材料的类别分 金属聚合物陶瓷混合物 (2)按材料的物理性质分： 导体绝缘体 半导体磁性材料 三、磁隧道结传感器应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就...
