供应高分辨率气表传感器，MMS103H传感器热销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS103H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、气表传感器介绍：
MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、传感器的分辨率
分辨率是指传感器可感受到的被测量的最小变化的能力。也就是说，如果输入量从某一非零值缓慢地变化。当输入变化值未超过某一数值时，传感器的输出不会发生变化，即传感器对此输入量的变化是分辨不出来的。只有当输入量的变化超过分辨率时，其输出才会发生变化。
通常传感器在满量程范围内各点的分辨率并不相同，因此常用满量程中能使输出量产生阶跃变化的输入量中的变化值作为衡量分辨率的指标。上述指标若用满量程的百分比表示，则称为分辨率。分辨率与传感器的稳定性有负相相关性。
三、传感器应用：
1.计量仪表（水表，气表，热量表）
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
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供应磁阻传感器，水表用MMS103H系列传感器
信息内容：一、MMS103H磁阻传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、MMS103H磁阻传感器安装方式： 1.水平磁化的长条或圆柱形磁铁。磁阻传感器放置与磁铁同一水平面。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 2.水平磁化的长条或圆柱形磁铁。磁阻传感器放置于磁铁上表面。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 3.磁阻传感器放置于磁铁侧面，磁阻传感器敏感轴如图所示。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化输出占空比为50%的方波信号。 4.磁阻传感器放置于磁铁上表面，磁阻传感器敏感轴如图所示。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 ...
供应电子设备专用传感器，MMS103H磁电阻传感器
信息内容：一、MMS103H磁电阻传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、磁电阻传感器介绍： 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下，材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。 随着科学技术的迅速发展，人们对各种电子设备的性能要求不断提高，这种市场需求推动了磁电阻的研究的发展。磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化，从而检测出对象的状态和信息的器件。依据其物理效应的不同，磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电阻传感器，以及电磁感应传感器、磁弹性(应力) 传感器、...
