一、极限参数参数 符号 额定值 单位
工作电压 VCC 6 V
工作电流 ICC 20 μA
输出电压 VOUT 6 V
输出电流 IOUT 30 mA
使用温度 TA -40 ~ 125 °C
储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C
ESD性能(HBM) VESD 4 kV
外加磁场 B 2000 Oe
二、磁阻传感器应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。
三、公司简介:
我司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
本公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。
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一、传感器的灵敏度 灵敏度是指传感器在稳态工作情况下输出量变化△y对输入量变化△x的比值。 它是输出一输入特性曲线的斜率。如果传感器的输出和输入之间显线性关系,则灵敏度S是一个常数。否则,它将随输入量的变化而变化。 灵敏度的量纲是输出、输入量的量纲之比。例如,某位移传感器,在位移变化1mm时,输出电压变化为200mV,则其灵敏度应表示为200mV/mm。 当传感器的输出、输入量的量纲相同时,灵敏度可理解为放大倍数。 提高灵敏度,可得到较高的测量精度。但灵敏度愈高,测量范围愈窄,稳定性也往往愈差。 二、双极锁存型开关传感器介绍: MMS103H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 三、双极锁存型开关传感...
一、气表传感器介绍: MMS103H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、传感器的分辨率 分辨率是指传感器可感受到的被测量的最小变化的能力。也就是说,如果输入量从某一非零值缓慢地变化。当输入变化值未超过某一数值时,传感器的输出不会发生变化,即传感器对此输入量的变化是分辨不出来的。只有当输入量的变化超过分辨率时,其输出才会发生变化。 通常传感器在满量程范围内各点的分辨率并不相同,因此常用满量程中能使输出量产生阶跃变化的输入量中的变化值作为衡量分辨率的指标。上述指标若用满量程的百分比表示,则称为分辨率。分辨率与传感器的稳定性有负相相关性。 三、传感器应用: 1.计量仪表(水表,气表,热量表)...