供应0.1μF传感器，优质MMS103H磁隧道结传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS103H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMS103H磁隧道结传感器概述：
在各类传感器中，有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体，当有物体移向位移传感器，并接近到一定距离时，位移传感器就有“感知”，通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关，就是接近开关。 不同的传感器检出距离也不同。有时被检测验物体是按一定的时间间隔，一个接一个地移动，又一个一个地离开，这样不断地重复。不同的传感器元件，对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。
二、MMS103H磁隧道结传感器应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。
三、公司简介：
我司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
本公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。
我司拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。
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供应高响应频率MMS103H开关传感器，磁阻传感器厂家
信息内容：一、极限参数参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C ESD性能(HBM) VESD 4 kV 外加磁场 B 2000 Oe 二、磁阻传感器应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。 三、公司简介： 我司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 ...
供应MMS103H双极锁存型开关传感器，优质传感器热销
信息内容：一、传感器的灵敏度 灵敏度是指传感器在稳态工作情况下输出量变化△y对输入量变化△x的比值。 它是输出一输入特性曲线的斜率。如果传感器的输出和输入之间显线性关系，则灵敏度S是一个常数。否则，它将随输入量的变化而变化。 灵敏度的量纲是输出、输入量的量纲之比。例如，某位移传感器，在位移变化1mm时，输出电压变化为200mV，则其灵敏度应表示为200mV/mm。 当传感器的输出、输入量的量纲相同时，灵敏度可理解为放大倍数。 提高灵敏度，可得到较高的测量精度。但灵敏度愈高，测量范围愈窄，稳定性也往往愈差。 二、双极锁存型开关传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 三、双极锁存型开关传感...
