供应5N60场效应管，美国FIRST 5N60场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 5N60 | |
| 品牌/商标： | 美国FIRST | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | |
场效应管的分类
按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类
我公司成立於2000年，总部位於香港，是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、苏州、山东、重庆、福建等地设有办事处，专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务，并成为全球众多知名客户的合作夥伴。
我们不仅致力从事半导体代理分销业务，亦为半导体客户提供的方案设计和技术支持，以满足客户各项独特的需求，强化客户在市场竞争中的优势。
凌云国际股份有限公司十多年来一直保持着的行业品质标准，将是你的选择！
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供应FIR75N075场效应管，美国FIRST场效应管FIR75N075
信息内容：场效应管的主要参数： Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM — 耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM — 漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM 我公司成立於2000年，总部位於香港，是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、苏州、山东、重庆、福建等地设有办事处，专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务，并成为全球众多...
供应FIR10N60场效应管，现货FIR10N60场效应模块
信息内容：场效应晶体管具有如下特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 我公司代理美国FIRST SEMICONDUCTOR,ON SEMICONDUCTOR,上海XLSEMI，常州LYSEMI等品牌，分销FAIRCHILD，IR，ST,TI等国际知名品牌。产品为二极管、三极管、场效应管、肖特基、快恢复，可控跬，IGBT，整流器，集成电路等应用领域涵盖开关电源，UPS，逆变器，小家电，工控，安防，医疗设备，汽车电子，LED照明，消费类电子、电脑及周边产品等等。 基於以上的优厚条件，凌云国际与国际知名的客户和厂商一直维持深远友好的业务关系。除巩固现有的业务关系外，近年来，公司亦不断扩充产品线，代理国内外多个品牌，以迎合瞬息万变之电子产品市场的需求。 品质堪比仙童，免费申请样品，长期大量现货，超低特价抛售。更多详情可登陆：http://www.first-sem...
