供应FIR10N60场效应管，现货FIR10N60场效应模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FIR10N60 | |
| 品牌/商标： | 美国FIRST | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | |
场效应晶体管具有如下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
我公司代理美国FIRST SEMICONDUCTOR,ON SEMICONDUCTOR,上海XLSEMI，常州LYSEMI等品牌，分销FAIRCHILD，IR，ST,TI等国际知名品牌。产品为二极管、三极管、场效应管、肖特基、快恢复，可控跬，IGBT，整流器，集成电路等应用领域涵盖开关电源，UPS，逆变器，小家电，工控，安防，医疗设备，汽车电子，LED照明，消费类电子、电脑及周边产品等等。
基於以上的优厚条件，凌云国际与国际知名的客户和厂商一直维持深远友好的业务关系。除巩固现有的业务关系外，近年来，公司亦不断扩充产品线，代理国内外多个品牌，以迎合瞬息万变之电子产品市场的需求。
品质堪比仙童，免费申请样品，长期大量现货，超低特价抛售。更多详情可登陆：http://www.first-semi.com
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供应FIR12N60 MOSFET，代理美国FIRST场效应管MOSFET
信息内容：场效应管（MOSFET）工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。 我公司代理美国FIRST SEMICONDUCTOR,ON SEMICONDUCTOR,上海XLSEMI，常州LYSEMI等品牌，...
供应FIR14N50场效应管，FIR14N50美国FIRST场效应管
信息内容：场效应管的命名方式有两种： 种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 我公司代理美国FIRST SEMICONDUCTOR,ON SEMICONDUCTOR,上海XLSEMI，常州LYSEMI等品牌，分销FAIRCHILD，IR，ST,TI等国际知名品牌。产品为二极管、三极管、场效应管、肖特基、快恢复，可控跬，IGBT，整流器，集成电路等应用领域涵盖开关电源，UPS，逆变器，小家电，工控，安防，医疗设备，汽车电子，LED照明，消费类电子、电脑及周边产品等等。 基於以上的优厚条件，凌云国际与国际知名的客户和厂商一直维持深远友好的业务关系。除巩固现有的业务关系外，近年来，公司亦不断扩充产品线，代理国内外多个品牌，以迎合瞬息万变之电子产品市场的需求。 品质堪比仙童，免费申请样品，长期大量现货，超低特价抛售。更多详情可登陆：http://www.first-semi.com ...
