供应美国FIRST场效应管，长期代理，现货低价
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 5N60 | |
| 品牌/商标： | 美国FIRST | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | |
场效应管的应用领域
场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然现在多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
我公司成立於2000年，总部位於香港，是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、苏州、山东、重庆、福建等地设有办事处，专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务，并成为全球众多知名客户的合作夥伴。
我们不仅致力从事半导体代理分销业务，亦为半导体客户提供的方案设计和技术支持，以满足客户各项独特的需求，强化客户在市场竞争中的优势。
凌云国际股份有限公司十多年来一直保持着的行业品质标准，将是你的选择！
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供应5N60场效应管，美国FIRST 5N60场效应管
信息内容：场效应管的分类 按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类 我公司成立於2000年，总部位於香港，是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、苏州、山东、重庆、福建等地设有办事处，专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务，并成为全球众多知名客户的合作夥伴。 我们不仅致力从事半导体代理分销业务，亦为半导体客户提供的方案设计和技术支持，以满足客户各项独特的需求，强化客户在市场竞争中的优势。 凌云国际股份有限公司十多年来一直保持着的行业品质标准，将是你的选择！ 质量？必须的！低价？必须的！现货？必须的！ 品质堪比仙童，免费申请样品，长期大量现货，超低特价抛售。更多详情可登陆：http://www.first-semi.com 价格我司统一报价，量大可以申请价...
供应FIR75N075场效应管，美国FIRST场效应管FIR75N075
信息内容：场效应管的主要参数： Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM — 耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM — 漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM 我公司成立於2000年，总部位於香港，是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、苏州、山东、重庆、福建等地设有办事处，专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务，并成为全球众多...
