供应隧道磁电阻传感器，电子书专用开关传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品发展前景：
近些年手机、GPS市场的发展带动了对导航功能的需求。在这些应用中，由于具备功能优势，MEMS与磁传感器集成的产品预计会越来越受到欢迎。除了导航之外，手机功能的增多也促使磁传感器在手机上的应用越来越广泛，特别是在智能手机中。在智能手机系统中，磁阻传感器结合其他MEMS传感器的应用，可以在GPS系统中发挥更多的导航作用。除此之外，磁传感器在GPS便携产品和运动手表等消费市场发展很快，今后在消费电子中应用类型会更多，功能也会更加强大。
二、极限参数
参数 符号 额定值 单位
工作电压 VCC 6 V
工作电流 ICC 20 μA
输出电压 VOUT 6 V
输出电流 IOUT 30 mA
使用温度 TA -40 ~ 125 °C
储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C
ESD性能(HBM)VESD 4 kV
外加磁场 B 2000 Oe
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供应MMS105H灵敏度高传感器，开关传感器厂家
信息内容：一、产品简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、磁电阻传感器介绍： 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下，材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。 随着科学技术的迅速发展，人们对各种电子设备的性能要求不断提高，这种市场需求推动了磁电阻的研究的发...
供应电子玩具专用传感器，MMS105H传感器
信息内容：一、产品简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结（MTJ, Magnetic Tunnel Junction）。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地...
