供应MMS105H开关传感器，比较器专用传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、热量表应用：
多维科技TMR磁传感器芯片在热量表中的应用方案特点：
极高的频率响应特性，直接测量叶轮转速；
极低的功耗满足热量表低功耗需求；
极高的灵敏度，可减少叶轮磁钢磁场强度，降低对安装位置的要求，并减少杂质吸附；
标准的高低电平输出，可直接连接处理器，提高系统的可靠性；
锁存式工作方式，有效地避免叶轮抖动问题；
内部量子式闭环的磁结构，无外部磁场辐射，满足极低的起始流量测量；
优异的温度稳定性和极高的灵敏度，提高热量表的工作温度的热稳定性，并有效降低叶轮磁钢热退磁影响；
良好的抗磁特性，可降低热量表磁屏蔽的要求；
半导体生产工艺，保障产品的一致性和稳定性，降低生产过程中的生产成本和后期的维修维护成本。
二、AMR工作原理
单磁层器件
平行磁场感应
1～3% △R/R
工作在45°偏角
电流在薄膜平面流动
工作场范围窄
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供应隧道磁电阻传感器，电子书专用开关传感器
信息内容：一、产品发展前景： 近些年手机、GPS市场的发展带动了对导航功能的需求。在这些应用中，由于具备功能优势，MEMS与磁传感器集成的产品预计会越来越受到欢迎。除了导航之外，手机功能的增多也促使磁传感器在手机上的应用越来越广泛，特别是在智能手机中。在智能手机系统中，磁阻传感器结合其他MEMS传感器的应用，可以在GPS系统中发挥更多的导航作用。除此之外，磁传感器在GPS便携产品和运动手表等消费市场发展很快，今后在消费电子中应用类型会更多，功能也会更加强大。 二、极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C ESD性能(HBM)VESD 4 kV 外加磁场 B 2000 Oe 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. ...
供应MMS105H灵敏度高传感器，开关传感器厂家
信息内容：一、产品简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、磁电阻传感器介绍： 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下，材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。 随着科学技术的迅速发展，人们对各种电子设备的性能要求不断提高，这种市场需求推动了磁电阻的研究的发...
