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供应高灵敏度低开关点传感器,优质传感器厂家

价 格: 面议
型号/规格:MMS105H
品牌/商标:MDT

一、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用
  MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。
  磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术(AMR,GMR和TMR)。由于TMR技术与AMR,GMR相比,具有优势,目前硬盘已经完全采用这技术。
  隧道式磁阻(TMR)是一种更新的技术,TMR代替GMR组成存储元件后,不但可以减小MOSFET的面积,而且不需要进行重复读取。

 

二、产品应用:
  1.计量仪表(水表,气表,热量表)
  2.固态开关
  3.速度检测
  4.旋转位置检测
  5.线性位移检测

 

三、公司简介:
  我司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
  本公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。

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信息内容:

一、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用  MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。 二、产品特点:  1.隧道磁电阻 (TMR) 技术  2.双极锁存型开关  3.高灵敏度,低开关点  4.超低功耗  5.宽工作电压范围  6.卓越的温度稳定性  7.极高的频率响应  8.优良的ESD防护性能 三、产品应用:  1.计量仪表(水表,气表,热量表)  2.固态开关  3.速度检测  4.旋转位置检测  5.线性位移检测 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨...

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供应传感器热销,航天应用开关传感器热销

信息内容:

一、传感器在无损探伤中应用  无损探伤作为现代大工业的一个重要基础,对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测,涡流检测,脉冲涡流检测,由于涡流检测具有速度快,效率高,可在线监测的特点,因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器,由于其所具有的高灵敏度,高响应频率,高信噪比的特点,作为磁性传感器应用于无损探伤,将有效的提高无损探伤的水平和技术能力,并拓宽其应用范围,对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。 二、TMR优势  功耗低  灵敏度/分辨率高  工作范围宽  工作温度范围大  高频响,可达GHz 三、TMR工作原理  TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义;  具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻);  室温条件下,TMR的电阻变化率(△R/R)可达500%以上。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来...

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