一、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用
MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。
二、产品特点:
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度,低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
三、产品应用:
1.计量仪表(水表,气表,热量表)
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
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一、传感器在无损探伤中应用 无损探伤作为现代大工业的一个重要基础,对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测,涡流检测,脉冲涡流检测,由于涡流检测具有速度快,效率高,可在线监测的特点,因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器,由于其所具有的高灵敏度,高响应频率,高信噪比的特点,作为磁性传感器应用于无损探伤,将有效的提高无损探伤的水平和技术能力,并拓宽其应用范围,对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。 二、TMR优势 功耗低 灵敏度/分辨率高 工作范围宽 工作温度范围大 高频响,可达GHz 三、TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义; 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻); 室温条件下,TMR的电阻变化率(△R/R)可达500%以上。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来...
一、极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C ESD性能(HBM)VESD 4 kV 外加磁场 B 2000 Oe 二、水表中应用: 多维科技磁阻传感器采用TMR磁隧道结技术,灵敏度高、响应频率高、功耗低,非常适合于水表、热量表等电池供电场合应用。 目前的低功耗霍尔或干簧管,通过齿轮变比,来测量水表一段时间内的流量。由于TMR磁传感器的固有特点,非常适合智能水表应用。响应频率高,可以达到10 kHz以上,这样就可以直接测量叶轮的转速,得到水表的瞬时流量,可以实时监控用水情况。采用两个TMR传感器,根据四种不同状态信号,可以获得叶轮的旋转速度和旋转方向。通过测量叶轮的转速,多维科技TMR传感器可以实现:瞬时流量检测、漏水及大流量报警、逆流检测等功能。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们...