供应航空专用传感器，电子罗盘专用传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品简介：
基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结（MTJ, Magnetic Tunnel Junction）。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。
二、产品主要用途
这些接近开关传感器在航空、航天技术以及工业生产中应用十分广泛；在日常生活中，如宾馆、饭店、车库的自动门，自动热风机上都有应用；在安全防盗方面，如资料档案、财会、金融、博物馆、金库等重地，通常都装有由各种接近开关组成的防盗装置。在测量技术中，如长度，位置的测量；在控制技术中，如位移、速度、加速度的测量和控制，也都有着大量使用。而使用的方式，通常是制作成接近开关。
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供应高频率开关传感器，MMS105H电子罗盘专用传感器
信息内容：一、产品简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结（MTJ, Magnetic Tunnel Junction）。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、产品特性： 1、非接触检测，避免了对传感器自身和目标物的损坏。 2、无触点输出，操作寿命长。 3、即使在有水或油喷溅的苛刻环境中也能稳定检测。 4、反应速度快。 5、小型感测头，安装灵活。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电...
供应电子罗盘专用开关传感器，优质传感器厂家
信息内容：一、产品简介： 当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高。 二、应用方案特点 1.极高的频率响应（可以直接测量叶轮转速） 2. 极低的功耗（满足流量计低功耗需求） 3.极高的灵敏度（可减少叶轮磁钢磁场强度，降低对安装位置的要求） 4.标准的高低电平方波输出（可直接连接处理器，提高系统的可靠性） 5. 锁存式工作方式（有效避免叶轮抖动问题） 6.极低的起始流量测量（...
