一、产品简介:
当磁性自由层在外场的作用下,其磁化强度方向改变,而钉扎层的磁化方向不变,此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变,则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化,这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应,因此称为隧道磁电阻效应(TMR ,Tunneling Magnetoresistance )。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化,另一方面,我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。
实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂,但是就磁性传感器的应用来讲,我们可以认为TMR传感器就是一个电阻,只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化,其阻值发生改变,并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30~50%,对于氧化镁MgO可达200%,因此其输出相当可观,灵敏度非常高。
二、应用方案特点
1.极高的频率响应(可以直接测量叶轮转速)
2. 极低的功耗(满足流量计低功耗需求)
3.极高的灵敏度(可减少叶轮磁钢磁场强度,降低对安装位置的要求)
4.标准的高低电平方波输出(可直接连接处理器,提高系统的可靠性)
5. 锁存式工作方式(有效避免叶轮抖动问题)
6.极低的起始流量测量(可以测量微小流量)
7.良好的抗磁干扰能力(可降低磁屏蔽的要求)
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一、产品简介: 基于电子的自旋效应,在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构,由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应,因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下,其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层(磁性钉扎层和磁性自由层)磁化强度的相对取向。 二、产品概述: 在各类传感器中,有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体,当有物体移向位移传感器,并接近到一定距离时,位移传感器就有“感知”,通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关,就是接近开关。 不同的传感器检出距离也不同。有时被检测验物体是按一定的时间间隔,一个接一个地移动,又一个一个地离开,这样不断地重复。不同的传感器元件,对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。 三、公司介绍: 我司拥有的磁传感芯片的制造设备,拥有多项自主知识产权和核心技术,并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。 本公司主...
一、产品简介: 实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂,但是就磁性传感器的应用来讲,我们可以认为TMR传感器就是一个电阻,只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化,其阻值发生改变,并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30~50%,对于氧化镁MgO可达200%,因此其输出相当可观,灵敏度非常高.正是由于TMR的这些优点,TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能,一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案,另一方面,也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。 二、公司简介: 我司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 本公司成立于2010年5月,总部位于...