一、产品简介:
基于电子的自旋效应,在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构,由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应,因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下,其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层(磁性钉扎层和磁性自由层)磁化强度的相对取向。
二、产品应用:
磁传感器在消费电子类产品,如手机、笔记本电脑、电子玩具、电子罗盘中也有非常广泛的应用。未来磁传感器在消费电子市场将有较大的成长,MEMS传感器与磁传感器在应用中互相促进,对推动这一趋势有一定贡献。虽然磁阻传感器发展历程已经很漫长,技术相对成熟,但仅作为电子罗盘的单独应用,在以前并不被人们很看好,而现在它与MEMS的结合,会在导航市场成为一个亮点。
心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!!
欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您!
联系方式:
1. 服务电话:0512-56366222
2. 电话:0512-56319303联系人:张先生
3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
一、产品简介: 基于电子的自旋效应,在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构,由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应,因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下,其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层(磁性钉扎层和磁性自由层)磁化强度的相对取向。 二、传感器选用原则 在一般的工业生产场所,通常都选用涡流式接近开关和电容式接近开关。因为这两种接近开关对环境的要求条件较低。 当被测对象是导电物体或可以固定在一块金属物上的物体时,一般都选用涡流式接近开关,因为它的响应频率高、抗环境干扰性能好、应用范围广、价格较低。 若所测对象是非金属(或金属)、液位高度、粉状物高度、塑料、烟草等。则应选用电容式接近开关。这种开关的响应频率低,但稳定性好。安装时应考虑环境因素的影响。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-5636...
一、产品简介: 基于电子的自旋效应,在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构,由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应,因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下,其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层(磁性钉扎层和磁性自由层)磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下,其磁化强度方向改变,而钉扎层的磁化方向不变,此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变,则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化,这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应,因此称为隧道磁电阻效应(TMR ,Tunneling Magnetoresistance )。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化,另一方面,我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、产品主要用途 这些接近开关传感器在航空、航天技术以及工业生产中应用十分广泛;在日常生活中,如宾馆、饭店、车库的自动门,自动热风机上都有应用;在安全防盗方面,如资料档案、财会、金融、博物馆、金库等重地,通常都装有由各种接近开关组成的防...