价 格: | 面议 | |
型号/规格: | STZ8160B | |
品牌/商标: | 金誉 | |
封装形式: | SOD-323 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
反向电压: | | |
反向击穿电流: | |
STZ8160B稳压二极管特性:
表面材料:硅
功耗:300mW
封装:SOD-323
结点温度:150℃
存储温度范围:-55℃~150℃
STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃):
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什么是稳压二极管
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
天旺科技主要供应:片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽电容系列、低压差稳压IC、电源管理ICLDO。
公司成立于1991年,是一家以生产经销电子元器件为主的新型高科技企业。本公司生产及销售自有品牌片状二三极管和低压差稳压IC、LDO及电源管理IC,并代理经销世界各国片状二三极管。公司现有职员100多人,办公面积500多平米。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体,集更多的优势接受市场的挑战,灵活服务于客户,天旺以电子元器件为着陆点,潜心二、三极管。
天旺拥有自主研发品牌“HT”,同时也是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品,香港先科集团“ST”系列产品,江苏长电集团“长电”系列产品总代理。产品范围更广,服务更全面,并与品佳电子、艾睿集团 、安富利科技、世平集团、友尚国际等电子元器件国际知名企业达成战略合作伙伴关系,在电子元器件货源稳定,战略联盟销售,元器件报关物流等领域独具优势。
STZ8160C稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:300mW 封装:SOD-323 结点温度:150℃ 存储温度范围:-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4297/18429756.jpg 二极管击穿有哪3种情况? 二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 (1)雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 (2)齐纳击穿 对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 (3)热击穿 在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,...
STZ8180稳压二极管特性: 表面材料:硅 功耗:300mW 封装:SOD-323 结点温度:150℃ 存储温度范围:-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数(T=25℃): dzsc/18/4297/18429757.jpg 稳压管的主要参数: (1) 稳定电压VZ Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其Vz的范围不同;同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有一定的分散性。所以,Vz一般给出的是范围值,例如2CW11的Vz在3.2~4.5V (测试电流为10mA)。当然,二极管(包括稳压管)的正向导通特性也有稳压作用,但稳定电压只有0.6~0. 8V,且随温度的变化较大,故一般不常用。 (2)稳定电流IZ IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。Iz 通常在最小稳定电流IZmin与稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流,电流低于此值时,稳压效果差;IZmax是指稳压管稳定工作时的允许电流,超过此电流时,只要超过额定功耗,稳压管将发生性击穿。故一般要求 IZmin< Iz < IZmax 。 (3)动态电阻rZ rZ是指在稳压管正常工作的范围内,电压的微变量与电流的微变量之比。rZ 越小,表明稳压管...