供应BZT52C2V4W稳压二极管，二极管BZT52C2V4W
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BZT52C2V4W | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOD-123 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
BZT52C2V4W稳压二极管特性：
表面材料：硅
功耗：500mW
封装：SOD-123
BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）：
dzsc/18/4270/18427054.jpg
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
- 所属城市：广东 广州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 曾向奔
- 电话：020-83182723
- 传真：020-83389441
- 手机：13928786606
- QQ ：
供应齐纳二极管BZT52C2V7W，二极管BZT52C2V7W
信息内容：BZT52C2V7W稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：500mW 封装：SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4270/18427055.jpg 稳压二极管(齐纳二极管,Zener diode)： 是一种专门工作于反向(崩溃，Breakdown)区域的二极管，如有一适量的电流流经此二极管，则其两端点间产生一固定不变的电压，名为："稳压电压"，由于其电压稳定，故被广泛用于稳压电路或用作参考电压源。
供应二极管BZT52C3V0W，稳压二极管BZT52C3V0W
信息内容：BZT52C3V0W稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：500mW 封装：SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4270/18427056.jpg 二极管击穿有哪3种情况？ 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 （3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，超过PN结的允许...
