供应齐纳二极管BZT52C2V7W，二极管BZT52C2V7W
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BZT52C2V7W | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOD-123 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
BZT52C2V7W稳压二极管特性：
表面材料：硅
功耗：500mW
封装：SOD-123
BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）：
dzsc/18/4270/18427055.jpg
稳压二极管(齐纳二极管,Zener diode)：
是一种专门工作于反向(崩溃，Breakdown)区域的二极管，如有一适量的电流流经此二极管，则其两端点间产生一固定不变的电压，名为："稳压电压"，由于其电压稳定，故被广泛用于稳压电路或用作参考电压源。
- 所属城市：广东 广州
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供应二极管BZT52C3V0W，稳压二极管BZT52C3V0W
信息内容：BZT52C3V0W稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：500mW 封装：SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4270/18427056.jpg 二极管击穿有哪3种情况？ 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 （3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，超过PN结的允许...
供应二极管BZT52C3V3W，齐纳二极管BZT52C3V3W
信息内容：BZT52C3V3W稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：500mW 封装：SOD-123 BZT52C系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/18/4270/18427058.jpg 稳压管的主要参数： （1） 稳定电压VZ Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其Vz的范围不同；同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有一定的分散性。所以，Vz一般给出的是范围值，例如2CW11的Vz在3.2～4.5V （测试电流为10mA）。当然，二极管（包括稳压管）的正向导通特性也有稳压作用，但稳定电压只有0.6～0. 8V，且随温度的变化较大，故一般不常用。 （2）稳定电流IZ IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。Iz 通常在最小稳定电流IZmin与稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax是指稳压管稳定工作时的允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生性击穿。故一般要求 IZmin＜ Iz ＜ IZmax 。 （3）动态电阻rZ rZ是指在稳压管正常工作的范围内，电压的微变量与电流的微变量之比。rZ 越小，表明稳压管性能越好。 （4）额定功耗PZ Pz是由管子温升所...
