供应SN65HVD3082ED缓冲器和线路驱动器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SN65HVD3082ED/SOP-8 | |
| 品牌/商标： | TI |
全新原装新热卖。。。
SN65HVD3082ED
制造商: Texas Instruments
产品种类: 缓冲器和线路驱动器
RoHS: RoHS 符合 详细信息
电源电压（值）: 5.5 V
电源电压（最小值）: 4.5 V
工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Tube
数据速率: 0.2 Mbps
接口: EIA/TIA-485-A. RS-485
最小工作温度: - 40 C
工厂包装数量: 75
电源电流: 0.9 mA
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 黄小姐
- 电话：0755-83555435
- 传真：0755-83555435
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供应SN65HVD10DR缓冲器和线路驱动器
信息内容：全新原装新热卖。。。SN65HVD10DR制造商: Texas Instruments 产品种类: 缓冲器和线路驱动器 RoHS: RoHS 符合 详细信息 电源电压（值）: 3.6 V 电源电压（最小值）: 3 V 工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 封装: Reel 数据速率: 32 Mbps 接口: EIA/TIA-485-A. ISO-8482:1993. RS-485 最小工作温度: - 40 C 工厂包装数量: 2500 电源电流: 15.5 mA
供应SI4833DY-T1 MOSFET
信息内容：全新原装新热卖。。。SI4833DY-T1制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 否 晶体管极性: P-Channel 汲极/源极击穿电压: 30 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 3.5 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 85 mOhms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 下降时间: 8 ns 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 2 W 上升时间: 9 ns 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 14 ns制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 否 晶体管极性: P-Channel 汲极/源极击穿电压: 30 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 3.5 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 85 mOhms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 下降时间: 8 ns 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 2 W 上升时间: 9 ns 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 14 ns
