供应SI4833DY-T1 MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SI4833DY-T1/SOP-8 | |
| 品牌/商标： | SILICONIX |
全新原装新热卖。。。
SI4833DY-T1
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 3.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 85 mOhms
配置: Single
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 14 ns
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 3.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 85 mOhms
配置: Single
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 14 ns
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 黄小姐
- 电话：0755-83555435
- 传真：0755-83555435
- 手机：
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供应SI4505DY-T1 MOSFET
信息内容：全新原装新热卖。。。SI4505DY-T1制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 否 晶体管极性: N and P-Channel 汲极/源极击穿电压: 30 V, 8 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V, +/- 8 V 漏极连续电流: 6.5 A, 3.8 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 18 mOhms, 42 mOhms 配置: Dual 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 下降时间: 8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 1.2 W 上升时间: 8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 35 ns at N Channel, 60 ns at P Channel
供应SN74LV595APWRG4 寄存器
信息内容：全新原装新热卖。。。SN74LV595APWRG4制造商: Texas Instruments 产品种类: 寄存器 RoHS: RoHS 符合 详细信息 逻辑类型: CMOS 逻辑系列: LV 电路数量: Octal 传播延迟时间: 22.5 ns, 16.5 ns, 10.2 ns 电源电压（值）: 5.5 V 工作温度: + 85 C 封装 / 箱体: TSSOP-16 封装: Reel 功能: Shift Register 最小工作温度: - 40 C 安装风格: SMD/SMT 工厂包装数量: 2000 电源电压（最小值）: 2 V
