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场效应管SE2306 SOT-23封装 N沟道
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE2306 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 8（V） 夹断电压 20（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 4000（mA） 耗散功率 1（mW） SHANGHAI June 2007MICROELECTRONICSCO., LTD. SE2306 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision:A Features● VDS= 20V,ID= 6ARDS(ON)< 37.5m&Omeg...
场效应管SE8205A SOT23-6封装 双N沟道
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8205A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 20（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 6000（mA） 耗散功率 1（mW）
