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制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: dzsc/18/3531/18353152.gif 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V 在25 C的连续集电极电流: 40 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA 功率耗散: 160 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-3P-3 封装: Tube 集电极连续电流 Ic: 40 A 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole 工厂包装数量: 30 零件号别名: SGH40N60UFDTU
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353153.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 9 A 电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.4 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P 封装: Tube 下降时间: 75 ns 正向跨导 gFS(值/最小值) : 9.2 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 280 W 上升时间: 120 ns 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 100 ns 零件号别名: FQA9N90C