供应FQA9N90C仙童场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQA9N90C | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO3P | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应FQA9N90C仙童场效应管
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353153.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 9 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.4 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P 封装: Tube 下降时间: 75 ns 正向跨导 gFS（值/最小值） : 9.2 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 280 W 上升时间: 120 ns 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 100 ns 零件号别名: FQA9N90C
供应FQPF7N80C仙童场效应管
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353155.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 800 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 6.6 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.9 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 下降时间: 60 ns 正向跨导 gFS（值/最小值） : 5.5 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 56 W 上升时间: 100 ns 工厂包装数量: 50 典型关闭延迟时间: 50 ns
