价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FCD7N60 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD(飞兆) | |
封装形式: | TO252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | 中功率 |
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制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353138.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 1.7 A 电阻汲极/源极 RDS(导通): 7.2 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252 封装: Reel 下降时间: 30 ns 正向跨导 gFS(值/最小值) : 1.7 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 2.5 W 上升时间: 35 ns 工厂包装数量: 2000 典型关闭延迟时间: 20 ns
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353142.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 4 A 电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.4 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252 封装: Reel 下降时间: 48 ns 正向跨导 gFS(值/最小值) : 5.2 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 2.5 W 上升时间: 46 ns 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 50 ns 零件号别名: FQD5N50CTM