供应FQD2N90TF仙童MOS管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQD2N90TF | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 超大功率 |
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- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨先生
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供应仙童场效应管FQD5N50CTM
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353142.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 4 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.4 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252 封装: Reel 下降时间: 48 ns 正向跨导 gFS（值/最小值） : 5.2 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 2.5 W 上升时间: 46 ns 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 50 ns 零件号别名: FQD5N50CTM
供应ST场效应管STW16NK60Z
信息内容：制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353143.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 14 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.42 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247 封装: Tube 下降时间: 15 ns 正向跨导 gFS（值/最小值） : 12 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 190 W 上升时间: 25 ns 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 70 ns
