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供应仙童MOS管FQP5N50C

价 格: 面议
型号/规格:FQP5N50C
品牌/商标:FAIRCHILD(飞兆)
封装形式:TO220
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装
功率特征:中功率

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: dzsc/18/3531/18353124.gif 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.4 Ohms
配置: Single
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 48 ns
正向跨导 gFS(值/最小值) : 5.2 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 73 W
上升时间: 46 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 50 ns
零件号别名: FQP5N50C

飞捷士科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 杨先生
  • 电话:0755-88257825
  • 传真:0755-88257896
  • 手机:13902969450
  • QQ :QQ:2355410651QQ:2355410650QQ:787283808
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信息内容:

制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353128.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 650 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 47 A 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.07 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247 封装: Tube 下降时间: 8 ns 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 415 W 上升时间: 27 ns 工厂包装数量: 240 典型关闭延迟时间: 111 ns 零件号别名: SPW47N60C3XK

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信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353135.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 7 A 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.53 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DPAK 封装: Reel 下降时间: 32 ns 正向跨导 gFS(值/最小值) : 6 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 83 W 上升时间: 55 ns 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 75 ns

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