品牌 | 进口 | 型号 | C4108 |
应用范围 | 开关 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 0(V) |
集电极允许电流ICM | 1(A) | 集电极耗散功率PCM | 1(W) |
截止频率fT | 1(MHz) | 结构 | 平面型 |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
品牌 进口 型号 D1453 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO V(V) 集电极允许电流ICM A(A) 集电极耗散功率PCM W(W) 截止频率fT MHZ(MHz) 结构 面接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装
品牌 TOS日本东芝 型号 30GWJ2C 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 V(V) 夹断电压 V(V) 跨导 US(μS) 极间电容 PF(pF) 低频噪声系数 DB(dB) 漏极电流 标准(mA) 耗散功率 标准(mW)