价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 30GWJ2C | |
品牌/商标: | TOSHIBA(东芝) | |
封装形式: | 直插型 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
极性: | |
品牌 | TOS日本东芝 | 型号 | 30GWJ2C |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | V(V) | 夹断电压 | V(V) |
跨导 | US(μS) | 极间电容 | PF(pF) |
低频噪声系数 | DB(dB) | 漏极电流 | 标准(mA) |
耗散功率 | 标准(mW) |
产品类型 双基极(单结)二极管 品牌 进口 型号 S40HC3 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 超高亮 LED封装 有色散射(D) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 高指向性 反向电压VR 1(V) 正向直流电流IF 1(A)
品牌 进口 型号 C5287 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 V(V) 夹断电压 V(V) 跨导 US(μS) 极间电容 PF(pF) 低频噪声系数 DB(dB) 漏极电流 标准(mA) 耗散功率 标准(mW)