微盟 MEM2303 功率MOSFET （AO
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:Micro One 型号:MEM2303 封装:SOT23 批号:2011 类型:其他IC
| 产品名称 | 通道 | VDS(Max) | VGS | ID电流 | 导通电阻 | 封装形式 |
| MEM2303 | PMOS | -30V | -12V | -4.3V | 50mΩ | SOT23 |
描述: 特点: 应用:
MEM2303系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2303适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
●-30V/-4.2A
●RDS(ON) =50mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A
●RDS(ON) =56mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
●RDS(ON) =71mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A
●超大密度单元、极小的RDS(ON)）
●超小封装：SOT23
●电源管理
●负载开关
●电池保护
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微盟原装 MEM2309 增强型功率MOSFET（
信息内容：品牌:Micro One 型号:MEM2309 封装:SOP8 批号:2011 类型:其他IC产品名称通道VDS(Max)VGSID电流导通电阻封装形式MEM2309PMOS -30V -20V -6A 53mΩ SOP8/SOT89 描述:MEM2309系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2309适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 特点:● -30V/-6A● RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A● RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A● 超大密度单元、极小的RDS(ON)）● 采用SOP8封装 应用:● 电源管理● 负载开关● 电池保护 一级代理 低价抛货 量大价优，支持客户小批量拿，可送样，上批量包邮，我们将努力做到让您满意！联系人：李小姐手机：15118142136电话：0755-33561486传真：0755-89968970QQ : 357076438邮箱：ruifengtech@163.com网址：www.ruifengwei.com
微盟一级代理 MEM2301 功率MOSFET
信息内容：品牌:Micro One 型号:MEM2301 封装:SOT23 批号:2011 类型:其他IC产品名称通道VDS(Max)VGSID电流导通电阻封装形式MEM2301PMOS －20V -8V -3.1A 100mΩ SOT23 描述:MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。 特点:●-20V/-2.8A●RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A●RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A●超大密度单元、极小的RDS(ON)）●超小封装：SOT23 应用:●电源管理●负载开关●电池保护 一级代理 低价抛货 量大价优，支持客户小批量拿，可送样，上批量包邮，我们将努力做到让您满意！联系人：李小姐手机：15118142136电话：0755-33561486传真：0755-89968970QQ : 357076438邮箱：ruifengtech@163.com网址：www.ruifengwei.com
