供应优势ST双向可控硅 BTA20-600B
| 价 格： | 面议 |
品牌:ST意法半导体 型号:BTA20-600B 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:金属封装 封装外形:TO-220 关断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:中频 功率特性:中功率 额定正向平均电流:20（A） 控制极触发电流:50（mA） 稳定工作电流:1（A） 反向重复峰值电压:1（V）
| 型号 | 封装 | 控制方式 | 极数 | VDRM | VRRM | IT | IT | IT | VGT | IGT | |
| TYPE | 品牌 | Package | ( V ) | ( V ) | MAX（RMS）A | MAX(AV)A | TSM（MAX）A | （max）V | （max）MA | ||
| MAC97A6 | ON | TO-92 | 双向 | 三极 | 400 | 400 | 0.6 | 8 | 2 | 5 | |
| MAC97A8 | ON | TO-92 | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 0.6 | 8 | 2 | 5 | |
| MCR100-6 | ON | TO-92 | 单向 | 三极 | 400 | 400 | 0.8 | 10 | 0.8 | 0.2 | |
| MCR100-8 | ON | TO-92 | 单向 | 三极 | 600 | 600 | 0.8 | 10 | 0.8 | 0.2 | |
| BT169D | NXP | TO-92 | 单向 | 三极 | 400 | 400 | 0.8 | 0.5 | 8 | 0.8 | 0.2 |
| BT131-600E | NXP | TO-92 | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 1 | 12.5 | 1.5 | 10 | |
| BT134-600E | NXP | TO-126 | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 4 | 25 | 1.5 | 25 | |
| BT136-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 4 | 25 | 1.5 | 25 | |
| BT137-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 8 | 65 | 1.5 | 50 | |
| BT138-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 12 | 95 | 1.5 | 25 | |
| BT139-600E | NXP | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 16 | 140 | 1.5 | 25 | |
| BT151-500R | NXP | TO-220AB | 单向 | 三极 | 500 | 500 | 12 | 7.5 | 100 | 1.5 | 15 |
| BT152-600R | NXP | TO-220AB | 单向 | 三极 | 650 | 650 | 20 | 13 | 200 | 1.5 | 32 |
| BTA06-600C | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 6 | 60 | 1.3 | 25 | |
| BTA08-600C | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 8 | 80 | 1.3 | 25 | |
| BTA10-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 10 | 100 | 1.3 | 25 | |
| BTA12-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 12 | 120 | 1.3 | 25 | |
| BTA16-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 16 | 160 | 1.3 | 50 | |
| BTA20-600B | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 20 | 200 | 1.5 | 50 | |
| BTA26-600B | ST | TO-3P | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 25 | 250 | 1.3 | 50 | |
| BTA41-600B | ST | TO-3P | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 40 | 400 | 1.3 | 50 | |
| BTB04-600SL | ST | TO-220AB | 双向 | 三极 | 600 | 600 | 4 | 35 | 1.3 | 10 |
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优势供应MOS管 4435 场效应管 SOP-8
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 4435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1.4（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 10500（mA） 耗散功率 2500（mW）
优势供应MOS管 4407 P管 SOP-8
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 4407 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 1.8（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 12000（mA） 耗散功率 3000（mW） MOS管供应商，期待与您的合作。。 AO4407 SOP-8 2500PCS/盘30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-10A= 14mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-10A= 20mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深...
