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供应仙童IGBT单管FGA20S120M

价 格: 面议
型号/规格:FGA20S120M
品牌/商标:FAIRCHILD
封装形式:TO3P
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装
功率特征:中功率

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: dzsc/18/2338/18233877.gif 详细信息
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
栅极/发射极电压: 25 V
Continuous Collector Current at 25 C: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
功率耗散: 348 W
工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-3
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole

飞捷士科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 杨先生
  • 电话:0755-88257825
  • 传真:0755-88257896
  • 手机:13902969450
  • QQ :QQ:2355410651QQ:2355410650QQ:787283808
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信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: 开关变换器、稳压器与控制器 RoHS: dzsc/18/2348/18234866.gif 详细信息 输出电压: 24 V 输出电流: 8.3 A 输出功率: 450 W 开关频率: 300 KHz 工作温度范围: - 40 C to + 130 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: SIP-9 封装: Tube 占空因数(值): 52 % 绝缘/非绝缘: Isolated

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信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: dzsc/18/3531/18353124.gif 详细信息 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 5 A 电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.4 Ohms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 下降时间: 48 ns 正向跨导 gFS(值/最小值) : 5.2 S 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 73 W 上升时间: 46 ns 工厂包装数量: 50 典型关闭延迟时间: 50 ns 零件号别名: FQP5N50C

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