供应电容 电阻 二三极管 磁珠 电感
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 0603 0805 1206 1210 | |
| 品牌/商标： | AVX 村田 三星 TDK ON | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 主要用途： | | |
| 额定电流： | A | |
| 额定电压： | V | |
| 外形尺寸： | mm |
| Product Detail InformaTION | |
| Product Group | Resistor Chips |
| Ordering Code | RC0402JR-0720KL |
| Ordering Code | 232270570203L |
| Unified CTC | RC0402JR-0720KL |
| Additional Product Code | 9C04021A2002JLPF3 |
| Description | General Purpose 0402 20 kOhm +-5% Paper 178mm (7") Leadfree |
| STatus | Preferred |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蔡益丰
- 电话：0755-83773517
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供应MOSFET管 N-CH 50V 200MA SOT23-3 - BSS138
信息内容：BSS138N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionThese N-Channel enhancement mode field effecttransistors are produced using Fairchild’s proprietary,high cell density, DMOS technology. These productshave been designed to minimize on-state resistancewhile provide rugged, reliable, and fast switchingperformance.These products are particularly suited forlow voltage, low current applications such as smallservo motor control, power MOSFET gate drivers, andother switching applications.Features• 0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 VRDS(ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V• High density cell design for extremely low RDS(ON)• Rugged and Reliable• Compact industry standard SOT-23 surface mountpackage 自动翻译： BSS138 N-Channel逻辑水平的提高模式场效应晶体管 总体描述 这些N-Channel增强模式磁场效应 晶体管是使用了费雅嘉专有的, 细胞密度、DMOS高技术。这些产品 被设计用来减少导通状态的抵抗 在提供坚固耐用,可靠,快速切...
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信息内容：0603 0805 1206 1210 2225
