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制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: dzsc/18/2164/18216473.gif 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 50 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 功率耗散: 312 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-3P 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole 零件号别名: FGA25N120ANTDTU_NL
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: dzsc/18/2338/18233877.gif 详细信息 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 1.55 V 栅极/发射极电压: 25 V Continuous Collector Current at 25 C: 40 A 栅极—射极漏泄电流: 250 nA 功率耗散: 348 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-3 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole