供应FQP2N60C--耐高压MOS管
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特色标志:现货 品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQP2N60C 封装:TO220/TO220F 极限电压:600（V） 极限电流:2（A） 用途:放大电流，稳压 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
FQP2N60C/FQPF2N60C
600V N-Channel MOSFET
Features
• 2.0A, 600V, RDS(on) = 4.7? @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 8.5 nC)
• Low Crss ( typical 4.3 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
封装：T0220/TO220F
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 王大乾
- 电话：0755-29744956
- 传真：0755-29744956
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供应-FQP6N60 耐高压MOS管
信息内容：品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQP6N60 封装:TO220/铁封 极限电压:600（V） 极限电流:6.2（A） 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型Features• 6.2A, 600V, RDS(on) = 1.5? @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 20 nC)• Low Crss ( typical 10 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability封装：TO220/铁封
供应 2N60L--耐高压MOS管
信息内容：特色标志:厂家直销 品牌:UTC/AAT/FCS 型号:2N60L 封装:TO220 / SOT252/TO220F 极限电压:600/650（V） 极限电流:2（A） 用途:放大电流，稳压 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道2 Amps, 600/650 VoltsN-CHANNEL MOSFET FEATURES* RDS(ON) =5?@VGS= 10V* Ultra Low gate charge (typical 9.0nC)* Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 5.0 pF)* Fast switching capability* Avalanche energy specified* Improved dv/dt capability, high ruggedness封装：TO252/TO220/TO220F
