价 格: | 面议 | |
型号/规格: | NTC8D-20 | |
品牌/商标: | 国产 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
产品主要用途: | | |
功率分类: | | |
精度类别: | | |
外形结构特征: | | |
引出线类型: | | |
包装形式: | |
MSR功率型NTC热敏电阻器
(中性通用型号:NSP/MF7/NTC)
MSR功率型NTC热敏电阻器是以氧化锰等为主要原料制造的精细半导体电子陶瓷元件。电阻值随温度的变化呈现非线性变化,电阻值随温度升高而降低。利用这一特性,在电路的输入端串联一个MSR热敏电阻增加线路的阻抗,这样就可以有效的抑制开关`继电器`电磁阀动作时产生的浪涌电压形成的浪涌电流。当电路进入稳态工作时,由于线路中持续工作电流引起的MSR热敏电阻器的发热,使得电阻器的电阻值变得很小,对线路造成的影响可以完全忽略。该产品主要用来替代电源及电视`显示器中的水泥电阻的作用。dzsc/18/0541/18054167.jpg
1.产品特点
电阻范围宽
抗浪涌力强
响应时间快
2.产品用途
各类电源浪涌电流保护
照明电器`家用电器浪涌过电流保护
电子镇流器`电子节能灯浪涌电流保护
测量控制仪器的浪涌电流保护
继电器`电磁阀动作浪涌电流保护
其他各类电子线路中浪涌电流保护
3.命名方法
MSR | □□D | □□□ |
嘉科热敏型号 | 芯片直径 | 热敏电阻值 |
NTC | □□D | □□□ |
通用中性标识 | 热敏电阻值 | 芯片直径 |
尺寸(mm):
规格 |
Dmax |
Tmax |
Lmin |
C |
H |
d±0.05 |
Fmax |
05D |
6.5 |
4 |
25 |
5 |
9 |
0.56 |
4 |
07D |
9.0 |
4 |
5 |
0.8 | |||
09D |
12 |
5 |
7.5 | ||||
11D |
13.5 |
6 |
7.5 |
8 | |||
13D | 14.5 | 6 | |||||
15D |
18 |
8 |
7.5 | ||||
20D |
24 |
10 |
10 |
6 |
1.0 | ||
25D |
29 |
12 |
10 |
5.技术参数
09D
规 格 |
25℃ |
|
剩余 |
耗散 |
时间 |
工作 |
MSR09D003 |
3.0 |
4.0 |
0.12 |
11 |
39 |
-56~+200 |
MSR09D005 |
5.0 |
3.0 |
0.20 |
11 |
39 | |
MSR09D008 |
8.0 |
2.2 |
0.38 |
11 |
38 | |
MSR09D010 |
10 |
2.0 |
0.43 |
11 |
38 | |
MSR09D012 |
12 |
1.8 |
0.63 |
11 |
38 | |
MSR09D016 |
16 |
1.5 |
0.75 |
11 |
38 | |
MSR09D022 |
22 |
1.3 |
0.90 |
11 |
39 | |
MSR09D033 |
33 |
1.1 |
1.10 |
11 |
37 | |
MSR09D047 |
47 |
0.9 |
1.16 |
11 |
37 | |
MSR09D062 |
62 |
0.7 |
1.53 |
11 |
37 | |
MSR09D082 |
82 |
0.5 |
2.18 |
11 |
38 | |
MSR09D100 |
100 |
0.4 |
2.57 |
11 |
38 | |
MSR09D220 |
220 |
0.3 |
5.92 |
11 |
37 |
15D
规 格 |
25℃ |
|
剩余 |
耗散 |
时间 |
工作 |
MSR15D2R2 |
2.2 |
7.0 |
0.02 |
18 |
73 |
-56~+200 |
MSR15D003 |
3.0 |
6.5 |
0.02 |
18 |
77 | |
MSR15D005 |
5.0 |
6.0 |
0.04 |
17 |
77 | |
MSR15D008 |
8.0 |
5.5 |
0.06 |
17 |
75 | |
MSR15D010 |
10 |
5.0 |
0.08 |
16 |
73 | |
MSR15D012 |
12 |
4.8 |
0.24 |
16 |
73 | |
MSR15D016 |
16 |
4.5 |
0.27 |
16 |
73 | |
MSR15D022 |
22 |
4.0 |
0.29 |
17 |
83 | |
MSR15D033 |
33 |
3.5 |
0.47 |
17 |
85 | |
MSR15D047 |
47 |
3.0 |
0.59 |
18 |
87 |
描述: MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB 系列 : HEXFET® FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 : 逻辑电平门 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C : 90 毫欧 @ 9A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 17A Id 时的 Vgs(th)() : 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs : 37nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 920pF @ 25V 功率 - : 70W 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-220-3 包装 : 管件
描述: MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 : 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C : 300 毫欧 @ 7.2A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) : 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 12A Id 时的 Vgs(th)() : 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs : 38nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 860pF @ 25V 功率 - : 88W 安装类型 : 通孔 封装/外壳 : TO-220-3 包装 : 管件